LM06FF-H
6 nm FinFET, yüksek performans
Teknoloji tanımı tamamlandı; cihaz modelleri fit edildi; sırada kütüphaneler var.
LM06FF-H, aşırı morötesi (EUV) litografiyle desenlenmiş ara bağlantıya sahip, 7/6 nm sınıfı yüksek performanslı bir FinFET kitidir. Ön uç boyutları (54 nm kapı aralığı, 27 nm fin aralığı) iyi bilinen ASAP7 öngörüsel araştırma kitini izler; transistör hedefleri, modelleri, ara bağlantısı ve kütüphaneleri ise bize aittir ve her biri kaynaklıdır.
Neden 6 nm
7/6 nm sınıfı, yüksek performanslı hesaplamanın, mobil işlemcilerin ve yapay zekâ hızlandırıcılarının yüksek hacimle geçtiği ve ara bağlantı direncinin ve transistör değişkenliğinin birinci derece tasarım sorunlarına dönüştüğü nesildir. Ailemizde gate-all-around'a geçişten önceki son FinFET neslidir.
Teknoloji özeti
| Besleme | 0,7 V nominal |
| Kontaklı kapı aralığı | 54 nm |
| Kapı uzunluğu | 21 nm |
| Fin aralığı / yüksekliği / genişliği | 27 / 32 / 6,5 nm |
| Metal yığını | 10 katman, 36 nm minimum aralık |
| Hücre yükseklikleri | 6 ve 7,5 track |
| Eşik gerilimleri | SLVT, LVT, RVT ve SRAM cihazları |
| Cihaz modeli | BSIM-CMG |
Transistörler
| Cihaz | Kaçak akım (nA/µm) | Sürüş akımı (µA/µm) |
|---|---|---|
| nMOS SLVT / LVT / RVT | 90 / 9 / 0,7 | 1881 / 1674 / 1402 |
| pMOS SLVT / LVT / RVT | 89 / 8,5 / 0,85 | 1718 / 1500 / 1226 |
Akımlar serim genişliğinin mikrometresi başınadır.
Ara bağlantı
36 nm aralıkta bakır hatlar yalnızca 18 nm genişliğindedir ve dirençleri mikrometre başına yaklaşık 95 Ω'dur; bu, 40 nm kitinin en dar kablolarının yaklaşık 17 katıdır. Yığınımız bu boyut etkisini katman katman ve via direncini düşüren kendiliğinden oluşan bariyerleri modeller.
Öne çıkan analiz: değişkenlik ve kabloların baskın olduğu yollar
6 nm'de komşu transistörler arasındaki rastgele değişim ve çok dar kabloların artan direnci zamanlamaya hâkim olur. İstatistiksel zamanlama kütüphaneleri ve boyut etkisini hesaba katan kablo modelleri oluşturacak, hangi yolları kapıların değil kabloların sınırladığını göstereceğiz.
Kaynaklar
ASAP7 araştırma kiti (ön uç kuralları ve cihaz hedefleri), IRDS yol haritası ve nanometre genişliklerde bakır özdirencine ilişkin yayımlanmış çalışmalar.
Sırada ne var
İki yükseklikte ve üç eşik gerilimi türünde standart hücre kütüphaneleri, ardından karakterizasyon.